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技術突破!中國電科成功制備4英寸氧化鎵單晶


來源:中國產業經濟信息網   時間:2019-03-04





  近日,中國電科46所經過多年氧化鎵晶體生長技術探索,通過改進熱場結構、優化生長氣氛和晶體生長工藝,有效解決了晶體生長過程中原料分解、多晶形成、晶體開裂等問題,采用導模法成功制備出高質量的4英寸氧化鎵單晶。


  氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料,適用于制造高電流密度的功率器件、紫外探測器、發光二極管等。但由于氧化鎵屬于單斜晶系,具有高熔點、高溫分解以及易開裂的特性,因此,大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。中國電科46所制備的氧化鎵單晶的寬度接近100mm,總長度達到250mm,可加工出4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓。經測試,晶體具有很好的結晶質量,將為國內相關器件的研制提供有力支撐。


  轉自:國資委網站

 


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